Принцип на работа на транзистора

Transistor - устройство, което работи на полупроводници в електрониката. Тя е предназначена за превръщането и амплификация на електрически сигнали. Има два вида устройства: биполярни транзистор и на еднополюсния транзистора или област.

Ако транзистора два вида носители на заряд работят едновременно - дупки и електрони, тя се нарича биполярно. Ако транзистора е само един вид такса, тя е еднополюсен.

Представете си, работата на обикновена чешмяна вода. Оказа болт - увеличаване на водния поток, той се обърна на другата страна - да се намали или да спре потока. На практика това е принципът на работа на транзистора. Само електрони вместо вода поток, протичаща през нея. Принципът на работа на биполярен транзистор тип се характеризира с факта, че през този електронно устройство, два вида власт се. Те са разделени на високо, или основно и малки, или мениджър. При който управляващият ток се отразява на капацитета на основното захранване. Помислете транзистор поле ефект. Принципът на неговото действие е различен от останалите. Тя преминава само един изходен ток , който зависи от околната електромагнитното поле.

В биполярен транзистор се състои от 3 слоя полупроводника, както и най-важното, двата PN-кръстовища. Необходимо е да се прави разлика между PNP и NPN преходи и следователно и транзистори. Тези полупроводници се редуват електрони и дупки проводимост.

В биполярен транзистор има три терминала. Тази база контакт, оставяйки централния слой, и двата електрода в краищата - емитер и колектор. В сравнение с тези две крайни електроди база слой е много тънък. По краищата транзистор района на полупроводника не е симетрична. полупроводников слой, разположен от страната на колектора за правилното функциониране на това устройство трябва да се остави малко, но е по-дебел в сравнение със страната на източника на звук.

принципи транзисторни работа са базирани на физични процеси. Нека работим с PNP на модела. NPN модел ще работи подобно изключение на полярността на напрежението между тези основни елементи като колекционер и предавател. Тя ще бъде в обратна посока.

Субстанция Р-тип съдържа отвор или положително заредени йони. N-тип вещество, съставен от отрицателно заредени електрони. В нашия транзистор брой дупки в региона F е много по-голям от броя на електроните в N.

Когато свържете източник на напрежение между части като източник на замърсяване и колектора на принципа на действие на транзистора се основават на факта, че дупките са привлечени към полюса и да се събират в близост до източника на звук. Но тока не отива. На електрическото поле от източник на напрежение не достигне колектора защото дебелина полупроводников слой емитер и база полупроводников слой.
След това се свърже източник на напрежение с различна комбинация от елементи, а именно база и емитер. Сега дупки се изпращат към базата данни и започват да си взаимодействат с електроните. В централната част на основата е наситен с дупки. Резултатът е две течения. Big - от емитера към колектора, малки - от основата към източника на звук.

С увеличаване на напрежението в базата данни в слоя N ще бъде още повече дупки, за да се увеличи база ток, емитер ток ще се увеличи леко. Това означава, че малка промяна в база ток сериозно достатъчно усилва емитер ток. Резултатът е сигнал за растеж в биполярен транзистор.

Помислете за принципите на транзистора в зависимост от режима на работа. Разграничаване нормален работен режим, обратен активен режим, насищане, режим на изключване.
В активен режим, кръстовище емитер се отваря и затваря колектор възел. В режим на инверсия, всичко се случва точно обратното.